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SI4890DY-T1-E3 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | Vishay Siliconix | 29304 | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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SI4890DY-T1-E3参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC 包装数量:1 包装形式: PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):30V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):800mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):- 功率 - 最大值:2.5W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 热敏电阻 - NTC100Y104J 模块A-MCSS-80100 Card EdgeEEM18DRTH RF配件AD-RSMAF-RTNC 其它A-0709-K 端子 - 快速连接100644-4 数据采集 - 数模DAC9881SRGET 矩形 - 外壳ZER-02V-S 模块 - 插孔A-2014-1-4-R RF 接收器RX5500 |